7月30日，国家纳米科学中心何军研究员应邀来新葡的京集团350vip8888讲学，在理科楼南501报告厅做了题为“Low dimensional metal chalcogenide semiconductors: design, synthesis and applications”的学术报告，部分教师和研究生聆听了报告。报告会由院长罗永松教授主持。

报告中，何军结合其课题组最近五年的研究成果，系统介绍了三个方面的工作：一是二维金属硫族层状半导体材料的范德华外延生长及其迁移率、带隙等光电性能研究，重点讲解了其在高性能场效应晶体管中的应用；二是二维硫族非层状半导体材料的电子输运性能研究及其在探测器阵列和高性能器件体系中的应用；三是对非层状-层状材料边缘结合效应的研究，及其在超快响应半导体器件中的应用。互动环节，何军与师生进行了学术探讨和交流。

何军，国家纳米科学中心“百人计划”研究员、博士生导师、课题组长，国家杰出青年基金获得者。主要从事新型低维硫族半导体的可控制备及光电器件应用。研究成果在Advanced Materials，Nano Letters，Advanced Functional Materials，ACS Nano，Small等国际知名学术刊物发表，SCI 收录近100篇，他引2000余次。多次被Nanowerk、Materials Views China等亮点报道。

（仓玉萍 供稿）